Исследование диффузионных процессов, проходящих в приконтактной области термоэлемента
Секция: Физико-математические науки
XXV Студенческая международная научно-практическая конференция «Технические и математические науки. Студенческий научный форум»
Исследование диффузионных процессов, проходящих в приконтактной области термоэлемента
Аннотация. В статье исследуется взаимодействие поставщиков PbSb и BiSb с металлами охлаждающих термоэлементов P- и P-типа с полупроводниковыми материалами после изотермической промывки при различных температурах. В статье, исследованы приконтактные области охлаждающих термоэлементов на основе халькогенидов Bi и Sb коммутированны припоями BiSb и PbSb.
Ключевые слова: припой 1, диффузионный слой 2, концентраций 3.
Известно, что тепловые и электрические сопротивления в термопарах являются необходимыми параметрами термоэлементных устройств, которые серьезно влияют на конечные характеристики их мощности, КПД и т. д. Существуют различные подходы в теории термоэлектричества, которые могут надежно оценить это сопротивление. Достигается роль диффузионных явлений в контактном образовании термоэлементов с металлами и достигаются следующие результаты по взаимосвязи термоэлементов и металлов.
Отжиг образцов проводился в вакууме 10 мм. рт. ст. при температурах 100, 150, 180, 220°С в течение 150 часов. Методом оптической микроскопии определялось глубина диффузионных слоев на контактах. Коэффициенты диффузии при каждой температуре оценивались по формуле
где – х2 ширина диффузионного слоя, t - время отжига. Экспериментальные результаты определения средних толщин диффузионных фаз при разных температурах и вычисление значения коэффициента диффузии представлены в таблице 1.
Таблица 1.
Значения диффузионной длины и коэффициента диффузии в зависимости от температуры
№ |
Наименование контакта |
Температура отжига,0С |
|||||||
100 |
150 |
180 |
220 |
||||||
D |
D |
D |
D |
||||||
1 |
Cu+PbSb |
4 |
0.15 |
21 |
4.1 |
32 |
9.48 |
67 |
41.6 |
2 |
p+PbSb |
- |
- |
3 |
0.033 |
5.2 |
0.25 |
8.6 |
0.685 |
3 |
n+PbSb |
- |
- |
- |
- |
2.4 |
0.053 |
4.1 |
0.156 |
4 |
Cu+BiSb |
к.р |
- |
к.р |
- |
к.р |
- |
к.р |
- |
5 |
p+BiSb |
14 |
1.8 |
21 |
4.1 |
36 |
12 |
89 |
73.3 |
6 |
n+BiSb |
22 |
4.48 |
43 |
17 |
17 |
20.8 |
К.р |
- |
где - к.р. - контакт разрушен.
Взаимодействие меди с эвтектиками припоем PbSb протекает со скоростью сравнимой со скоростью взаимодействия припоя BiSb с полупроводниковыми материалами n и р - типов.
Контакт меди с Bi-Sb после отжига был разрушен как при температуре 1000С, так и 2200С, и поэтому не представлялось возможным определить толщину диффузионного слоя. По-видимому, скорость взаимодействия на контакте в процессе отжига довольно высокая и за время отжига образуется значительный диффузионный слой. При охлаждении, из-за значительной разности в коэффициентах термического расширения меди. Припоя и вновь образовавшейся фазы возникают значительные механические напряжения, приводящие к разрушению контакта. Причинами, определяющими снижение прочности и повышение сопротивления в контактах вследствие протекания взаимной диффузии, могут быть не только образование новых фаз с сильно отличающимися физико-механическими параметрами. Эффекты, возникающие при сильном различии скоростей встречных диффузионных по токов-эффекты Киркендалла и Френкеля. Конечным следствием последних является образование в прилегающей к контактным областям, обогащенных микродефектами и характеризующих с повышенным сопротивлением.
Для оценки и сравнения химической активности припоев PbSb и BiSb представляет определенный интерес вычисления таких параметров диффузии как энергии активации Q и пред экс потенциального множителя В0. Известно [1], что коэффициент диффузии описываете я основным уравнением диффузии
где Q - энергия активации процесса, D0 - пред экспоненциальный множитель. Необходимым условием корректности вычисления энергии активации из основного уравнения диффузии является независимость значений D0 и от температуры в исследуемом интервале температур.
Для выявления границ независимости D0 от температуры на рис. 1 и рис. 2 представлены зависимости по данным полученным из графиков, представленных на рис. 3.Тб а, б. Значение глубины диффузии для вычисления взяты из графиков через каждые 100С. На рис. 1 и рис. 2 представлены зависимости от температуры.
Как видно из рис, 1 на контактах 2 и 3 в области исследуемых температур хорошо ложатся на прямую, что свидетельствует о наличии одного механизма диффузии. В данном случае, вероятно, происходит взаимная диффузия компонент припоя и материалов п-и р-типов друг в друга из-за наличия градиента концентраций на контакте. В взаимодействие припоя PbSb с медью происходит, судя по зависимости от температуры, в два этапа. На первом этапе, вероятно, протекает диффузия меди в РbSb, а сурьмы в медь. На втором этапе при достижении определенной концентрации начинает образовываться новая Фаза. Возникновение новой Фазы з дальнейшее и приводит к замедлению процесса диффузии. Уменьшение диффузионного потока происходит из-за того, что диффундирующие атомы связываются с атомами основного вещества.
Рисунок. 1 зависимость величины на контактах от обратной температуры |
Рисунок. 2 зависимость величины на контактах от обратной температуры |
1) PbSb+ Cu 2) PbSb+ p 3) PbSb +n |
1) BiSb +p 2) BiSb +n |
В при контактной области образцов 1 и 2, как видно из рис. 2 процессы диффузии также протекают в два этапа, по той же схеме, что и на контактах 2 и 3. По данным рис. 1 и рис. 2 рассчитаны энергии активации Q и переде экс потенциальной множитель D0 , значения которых приведены в таблице 2
Таблица 2.
Энергии активации Q
№ |
Наименование контакта |
Энергия активации Q, |
Предэкспотенциальный множитель D0, |
1 |
Cu+Pb-Sb |
а) 142750 б) 57030 |
а) 1,02∙10-1 б) 4,7∙10-9 |
2 |
p+Pb-Sb |
52500 |
2,6∙10-11 |
3 |
n+Pb-Sb |
50780 |
3,8∙10-12 |
4 |
p+Bi-Sb |
а) 23370 б) 83100 |
а) 3,5∙10-13 б) 4,8∙10-6 |
Значения Q и D0 диффузионных процессов, протекающих в экспериментальных образцах
Из полученных экспериментальных результатов следует, что температурная зависимость коэффициентов диффузии в контактах может быть выражена аналитически в следующем виде:
Из этих данных видно, чток как в контакте так и в контакте с припоем PbSb взаимная диффузия связана со значительной большей энергией активации, нежели диффузия в контакте припоем BiSb. Т.Е. припой на основе висмута обладает значительно большей химической активностью по отношению к термоэлектрическим материалам и к меди, чем припой на основе свинца. Следовательно, охлаждающие термоэлементы на основе халькогенидов висмута и сурьмы эксплуатируемые или проходящие термообработку при повышенный температурах, должны быть коммутированы припоями на основе свинца.